Datasheet下载- 型号： SST4118-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SST4118-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST4118-T1-E3价格参考。VishaySST4118-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SST4118-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SST4118-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SST4118-T1-E3 是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于低噪声、小信号晶体管类别。该器件常用于对信号保真度和噪声性能要求较高的模拟电路中。 主要应用场景包括： 在音频放大电路中，SST4118-T1-E3 因其低噪声特性，广泛用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音响设备中，有助于提升音质清晰度。 在传感器信号调理电路中，该JFET可用于放大微弱信号，适用于工业传感器、医疗检测设备等需要高精度信号处理的场合。 此外，它也适用于高速开关电路和射频（RF）前端设计，在通信设备中作为低电平信号开关或阻抗匹配元件，提高系统响应速度与稳定性。 由于采用SOT-23小型封装，SST4118-T1-E3 适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、可穿戴设备和无线耳机等。其可靠的性能和稳定的参数使其在消费电子、工业控制和通信领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 70V 80UA SOT-23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SST4118-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 80µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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