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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SK771-5-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK771-5-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK771-5-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK771-5-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK771-5-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK771-5-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK771-5-TB-E 是由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道硅 JFET（结型场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - JFET 类别，具有以下应用场景： 1. 音频和信号放大 - 2SK771-5-TB-E 的低噪声特性和高增益性能使其非常适合用于音频设备中的信号放大。例如，在麦克风前置放大器、吉他效果器或高质量音响系统中，它可以提供纯净的信号放大，同时保持低失真。 2. 射频（RF）和无线通信 - 由于其高频特性，该 JFET 可应用于射频电路中，如混频器、振荡器和小信号放大器。它能够在高频环境下保持稳定的性能，适用于无线电通信设备、无线模块和其他高频电子系统。 3. 开关应用 - 作为 N 沟道 JFET，2SK771-5-TB-E 可用作模拟开关。在需要低导通电阻和快速开关速度的应用中，例如多路复用器或信号选择电路，它可以实现高效且可靠的切换功能。 4. 电源管理 - 在某些低功耗应用中，JFET 可用作简单的电流源或限流元件。2SK771-5-TB-E 的特性使其适合用于电池供电设备中的电流调节或保护电路。 5. 传感器接口 - 该 JFET 可用于传感器信号调理电路，例如压力传感器、温度传感器或光电二极管的前置放大器。其高输入阻抗特性可以最大限度地减少对传感器输出信号的影响。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，2SK771-5-TB-E 可用于信号处理和控制电路中，例如可编程逻辑控制器（PLC）中的小信号放大或隔离电路。 7. 医疗设备 - 在医疗电子设备中，例如心电图（ECG）或脑电图（EEG）监测仪，该 JFET 可用于放大微弱的生物电信号，同时保持高精度和低噪声。 总结 2SK771-5-TB-E 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于需要低噪声、高增益和高频性能的场景。无论是消费电子、通信设备还是工业控制系统，这款 JFET 都能提供稳定且高效的解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 20MA 200MW SCP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK771-5-TB-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | - |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9pF @ 10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 其它名称 | 869-1111-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 20mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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