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产品简介:
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2SK3796-2-TL-E是ON Semiconductor生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于电压控制型器件,具有低噪声、高输入阻抗和良好的热稳定性等特点。该型号为双JFET结构,采用SOT-563封装,体积小,适合高密度贴装,广泛应用于便携式和高性能模拟电路中。 其主要应用场景包括: 1. 音频放大电路:由于JFET具备低噪声和高线性度特性,2SK3796-2-TL-E常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真(Hi-Fi)音频设备中,提升音质表现。 2. 信号调理与传感器接口:在精密测量系统中,该器件可用于放大微弱信号,如压力、温度或光传感器输出信号,发挥其高输入阻抗优势,减少对信号源的负载影响。 3. 模拟开关与衰减电路:凭借快速开关特性和低导通电阻,适用于模拟信号路径中的切换或增益控制应用。 4. 便携式电子设备:因其小型封装和低功耗特性,适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品中。 5. 高频小信号放大:在射频(RF)前端或中频处理电路中,可用于小信号放大,满足通信模块对稳定性和频率响应的要求。 综上,2SK3796-2-TL-E凭借其优异的模拟性能和紧凑封装,在消费电子、工业控制、通信及音频领域均有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 10MA 100MW SMCP |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SK3796-2-TL-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 180mV @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 600µA @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
供应商器件封装 | SMCP |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
标准包装 | 3,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
电阻-RDS(开) | 200 欧姆 |