Datasheet下载- 型号： MCH5908G-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH5908G-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH5908G-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH5908G-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH5908G-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH5908G-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH5908G-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小型表面贴装器件，广泛应用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的噪声系数和较高的输入阻抗，MCH5908G-TL-E常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路和精密测量设备中，有效提升信号的信噪比。 2. 模拟开关与衰减器：该器件可用于构建低失真的模拟开关或电压控制电阻电路，适用于通信系统中的信号路由和音量控制等场合。 3. 高频小信号处理：在射频（RF）前端电路中，MCH5908G-TL-E可作为小信号放大元件，适用于无线通信模块、接收机输入级等对线性度要求较高的场景。 4. 便携式电子设备：采用SOT-363（SC-88）小型封装，适合空间受限的应用，如智能手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器等，实现高效、低功耗的信号处理。 5. 工业与汽车电子：因其稳定的工作特性和良好的温度适应性，也适用于汽车音响系统、车载传感器接口及工业自动化中的模拟信号调节电路。 总之，MCH5908G-TL-E凭借其低噪声、高输入阻抗和小尺寸封装，成为高性能模拟电路设计中的理想选择，尤其适用于对信号保真度要求较高的消费类、工业类和汽车电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET 2N-CH 50MA 300MW MCPH5 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH5908G-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 300mV @ 100µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | 5-MCPH |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 5-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 50mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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