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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSR58由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR58价格参考。Fairchild SemiconductorBSR58封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSR58参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSR58 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的BSR58是一款N沟道JFET(结型场效应晶体管)。其主要应用场景包括: 1. 音频信号处理: BSR58常用于音频设备中的信号放大和调节,例如低噪声前置放大器、麦克风放大器等。由于JFET具有较低的输入电容和高输入阻抗,适合处理微弱的音频信号。 2. 开关应用: 该器件可用作模拟开关或缓冲器,适用于需要低导通电阻和低泄漏电流的场景,例如多路复用器、采样保持电路等。 3. 传感器接口: 在传感器信号调理电路中,BSR58可作为输入级放大器,用于放大来自低输出信号传感器(如光电二极管或热电偶)的微弱信号。 4. 射频和无线通信: JFET的高频特性和低噪声性能使其适合用于射频前端电路,例如混频器、振荡器和增益控制电路。 5. 电源管理: 在某些低功耗应用中,BSR58可以用作简单的电流源或电压调节器,提供稳定的偏置电流或电压。 6. 保护电路: 由于其良好的线性特性和可控的漏电流,BSR58可用于过流保护或限流电路设计。 总的来说,BSR58凭借其高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备以及音频处理等领域。具体使用时需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor BSR58- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSR58 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 80 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 800mV @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 8mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BSR58DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | 60 欧姆 |
| 系列 | BSR58 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 零件号别名 | BSR58_NL |