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IRFB38N20DPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB38N20DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB38N20DPBF价格参考¥5.76-¥6.31。International RectifierIRFB38N20DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB38N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB38N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB38N20DPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源:IRFB38N20DPBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率级开关元件。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。例如,在计算机、服务器、通信设备等的电源模块中,该MOSFET可以实现高效的电压转换和调节。 2. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRFB38N20DPBF可以用作栅极驱动器或功率输出级,用于控制电机的速度和方向。它适用于直流无刷电机(BLDC)、步进电机等,特别适合需要高效率和低损耗的应用场合。 3. 逆变器:该MOSFET也广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,负责将直流电转换为交流电。它的低导通电阻和快速开关特性有助于提高逆变器的整体效率,减少能量损失。 4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、储能系统等应用中,IRFB38N20DPBF可用于电池管理系统的保护电路中,起到过流保护、短路保护等功能,确保电池组的安全运行。 5. 工业自动化:在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRFB38N20DPBF可以作为功率开关元件,实现对负载的精确控制,提高系统的响应速度和可靠性。 6. 消费电子产品:在一些消费类电子产品中,如家电、电动工具等,IRFB38N20DPBF也扮演着重要角色,用于电源管理和电机控制,提供高效能和长寿命的产品性能。 总之,IRFB38N20DPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用中的关键元件,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB38N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB38N20DPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 320 W |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 95 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 54 毫欧 @ 26A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB38N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 320 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 54 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 60 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl38n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl38n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |