Datasheet下载- 型号： NTD18N06-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06-1G价格参考。ON SemiconductorNTD18N06-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD18N06-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD18N06-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06-1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适合用于中高功率场合。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率和减小系统体积。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、电动车等中的驱动模块。 3. 负载开关：作为高效电子开关控制高电流负载，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，提升系统安全性和能效。 5. 汽车电子：因其高可靠性，常用于汽车电源系统、车载充电器等场景。 综上，NTD18N06-1G适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统中，尤其适合中高功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD18N06-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
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