Datasheet下载- 型号： FDP8447L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8447L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8447L价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8447L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP8447L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP8447L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FDP8447L是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：FDP8447L常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路。该器件能够快速切换并控制电机的速度和方向。 3. 电池管理系统 (BMS)：在电池保护电路中使用，用于充放电路径控制、过流保护及短路保护等，确保电池组的安全运行。 4. 负载开关：作为高效负载开关，在便携式设备如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中实现动态电源管理。 5. 逆变器与太阳能系统：参与光伏微逆变器设计，支持可再生能源系统的能量转换过程。 6. 汽车电子：可用于车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、燃油喷射系统以及电动车窗/座椅调节等功能单元内。 7. 工业自动化：包括PLC输出级、继电器替代方案以及传感器接口等领域，提供稳定可靠的信号传输与执行功能。 由于FDP8447L具有优异的电气性能参数（如低栅极电荷、高雪崩能力），它能够在高频工作条件下保持良好的热稳定性和耐用性，因此非常适合上述需要高效能、小体积解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8447LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP8447L |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 50A （Tc） |
| 系列 | FDP8447L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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