Datasheet下载- 型号： NTD5806NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5806NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5806NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5806NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5806NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5806NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5806NT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要应用场景包括以下领域： 1. 开关电源 (SMPS)：NTD5806NT4G 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关，例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制和低功耗性能。 3. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，NTD5806NT4G 可作为负载开关使用，以实现快速开启/关闭功能并减少功耗。 4. 电池管理：在电池管理系统中，这款 MOSFET 可用于电池充放电保护、电流限制以及过流保护等功能，确保电池的安全运行。 5. LED 驱动：对于需要高效率的 LED 照明应用，NTD5806NT4G 可用作驱动开关，支持恒定电流输出以保证 LED 的亮度稳定。 6. 逆变器与 UPS：在不间断电源 (UPS) 或小型逆变器中，该器件可以充当功率级开关元件，帮助实现高效的能量转换。 7. 汽车电子：尽管 NTD5806NT4G 不是专为汽车级设计，但在一些非关键性车载应用中（如车窗升降器、座椅调节等），它也可以发挥作用。 总之，NTD5806NT4G 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式（TO-263-3, D2PAK），广泛适用于消费类电子产品、工业控制、通信设备等多个领域的功率管理及信号处理场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 33A DPAKMOSFET NFET DPAK 40V 33A 19mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5806NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5806NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 2.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD5806NT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | NTD5806N |
| 配置 | Single |
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