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  • 型号: PSMN2R0-30PL,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30PL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R0-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R0-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN2R0-30PL,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 2.0 mΩ @ VGS = 10 V,2.8 mΩ @ 4.5 V),30 V 耐压,连续漏极电流达 120 A(Tc = 25°C)。

其主要应用场景包括:  
✅ 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备的同步整流BUCK转换器、POL(负载点)模块,显著降低导通损耗,提升能效。  
✅ 电机驱动与电子负载:适用于无人机电调(ESC)、工业风机/泵的H桥驱动,支持大电流快速开关,配合逻辑电平驱动(兼容3.3V/5V MCU)简化栅极驱动设计。  
✅ 电池管理系统(BMS):用于锂电池组的充放电保护电路(如主动均衡开关、主回路断路控制),低RDS(on)减少发热,提升系统可靠性。  
✅ 热插拔与电源排序电路:在电信和工控背板中用作ORing FET或热插拔控制器的功率开关,具备良好的SOA(安全工作区)和雪崩耐量,保障系统鲁棒性。  

该器件通过AEC-Q101认证(部分批次),亦适用于汽车级辅助电源(如车载USB快充模块、LED驱动)。其低Qg与优异的dv/dt抗扰性,有助于减小EMI并提升开关稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABMOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-30PL,127-

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产品型号

PSMN2R0-30PL,127

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

211 W

Pd-功率耗散

211 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

上升时间

125 ns

下降时间

59 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6810pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

117nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.1 毫欧 @ 15A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-4899-5
934063917127
PSMN2R030PL127

典型关闭延迟时间

111 ns

功率-最大值

211W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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