Datasheet下载- 型号： PSMN2R0-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30PL,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R0-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R0-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R0-30PL,127 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有以下关键特性：低导通电阻（典型值为 2.0 mΩ）、高电流能力（连续漏极电流可达 141 A）以及耐压能力（最大漏源电压为 30 V）。这些特性使其适用于多种应用场景，具体如下： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：由于其低导通电阻和高效率，PSMN2R0-30PL,127 可用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换器中，减少功率损耗并提高系统效率。 - 开关电源 (SMPS)：在开关电源中作为主开关器件，能够快速切换以实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 电动工具：用于控制电动工具中的电机驱动电路，提供大电流输出以支持高功率需求。 - 工业自动化设备：适用于工业自动化中的小型电机驱动，例如伺服电机或步进电机的控制。 3. 负载开关 - 在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中，该 MOSFET 可用作负载开关，确保快速响应和低功耗。 - 适用于消费电子设备（如笔记本电脑、平板电脑等）中的动态电源管理。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车、电动自行车或储能系统的电池管理系统中，用于保护电池组免受过流、短路等故障的影响。 - 其低导通电阻特性有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 5. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中，用于电源分配和信号调节，支持高可靠性和稳定性。 6. 汽车电子 - 适用于汽车电子中的启动/停止系统、LED 照明驱动、车载充电器等应用，满足汽车级对高可靠性和耐用性的要求。 总结 PSMN2R0-30PL,127 的低导通电阻、高电流能力和出色的热性能，使其成为高效能功率转换和控制的理想选择。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理系统以及通信和汽车电子等领域，为各种高功率、高性能场景提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABMOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R0-30PL,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 211 W |
| Pd-功率耗散 | 211 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 59 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4899-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 111 ns |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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