| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLHS6342TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLHS6342TRPBF价格参考¥1.39-¥1.39。International RectifierIRLHS6342TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLHS6342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLHS6342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRLHS6342TRPBF 的器件是一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 FET 类晶体管中的单个 MOSFET。该器件通常用于 功率开关应用,具有高效率、低导通电阻和快速开关特性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于 DC-DC 转换器、稳压模块(VRM)中,实现高效的电能转换与调节。 2. 电机控制:在电动工具、电动车、工业电机驱动中,作为开关元件控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:用于智能电源分配系统,控制不同负载的供电通断,如服务器、计算机主板中的电源管理。 4. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护电路中,用于控制充放电路径,防止过流与短路。 5. 汽车电子:如车载充电系统、照明控制、风扇控制等,因其具备高可靠性和耐高温性能,适用于严苛环境。 6. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、继电器替代方案、传感器供电控制等。 该器件采用 Trench MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适合高频开关操作,有助于减小系统损耗和散热需求。封装形式通常为 TSOP 或类似小型封装,适合高密度 PCB 布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLHS6342TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1019pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN(2x2) |
| 其它名称 | IRLHS6342TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlhs6342pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlhs6342pbf.spi |