Datasheet下载- 型号： FQU10N20TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU10N20TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU10N20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU10N20TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU10N20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU10N20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU10N20TU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其典型应用场景包括但不限于以下方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FQU10N20TU 的耐压为 200V，适用于高电压环境下的开关电源设计，例如反激式转换器、升压转换器和降压转换器。 - 其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.65Ω @ Vgs=10V）有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 - 高耐压特性使其能够承受电机反电动势带来的电压尖峰。 3. 负载切换 - 在工业控制或消费电子设备中，FQU10N20TU 可用作负载切换开关，控制灯具、风扇或其他电器的开启与关闭。 - 它的低导通电阻有助于降低发热，适合长时间运行的应用。 4. 逆变器 - 该器件可用于小型逆变器的设计，将直流电转换为交流电，为家用电器或便携式设备供电。 - 其快速开关特性和高耐压能力非常适合逆变器中的高频开关需求。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中，FQU10N20TU 可作为关键的开关元件，确保系统在异常情况下切断电流，保护后端设备。 6. 汽车电子 - 虽然 FQU10N20TU 不是车规级器件，但在某些非关键车载应用中（如车灯控制、座椅调节等），它可以作为低成本解决方案使用。 总结 FQU10N20TU 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于各种电力电子领域，特别适合需要高效能和高可靠性的场景。在实际应用中，需根据具体需求选择合适的驱动电路和散热措施，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU10N20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Tc） |
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