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Datasheet下载- 型号： IRF6616TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF6616TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6616TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6616TRPBF价格参考￥6.02-￥6.02。International RectifierIRF6616TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 19A（Ta），106A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MX。您可以下载IRF6616TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6616TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6616TRPBF是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：IRF6616TRPBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块，因其具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，有助于提升电源效率并减少发热。 2. 电机控制：该MOSFET可用于直流电机、步进电机的驱动电路中，适用于工业自动化设备、机器人和电动工具等需要精确电机控制的场合。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制大电流负载的通断，如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和储能系统中，该器件可用于实现高效的能量转换。 5. 汽车电子：该MOSFET符合AEC-Q101汽车级标准，适用于车载电源系统、车身控制模块和车载充电器等应用。 IRF6616TRPBF采用TDFN封装，具备优良的热性能和空间利用率，适合高密度和高可靠性要求的设计。其主要优势在于高效、耐用且易于集成，是工业与汽车应用中的理想功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6616TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3765pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6616TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 106A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6616.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6616.spi |
