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  • 型号: FDFMA2P853
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDFMA2P853产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2P853由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2P853价格参考¥7.51-¥7.51。Fairchild SemiconductorFDFMA2P853封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDFMA2P853参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFMA2P853 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDFMA2P853 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换和控制场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理  
   FDFMA2P853 可用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)和负载开关等应用中。其低 Rds(on) 特性能够减少传导损耗,提高效率,适合便携式设备、消费电子和工业电源系统。

2. 电机驱动  
   该 MOSFET 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它可以通过高效的开关操作控制电机的速度和方向,广泛应用于家用电器、玩具和自动化设备。

3. 电池保护与管理  
   在电池管理系统(BMS)中,FDFMA2P853 可用作电池充放电路径的开关,提供过流保护和短路保护功能,确保电池安全运行。

4. 负载切换  
   它可以作为负载开关用于各种电子设备中,例如手机、平板电脑和其他便携式电子产品,实现快速且低损耗的负载切换。

5. 信号切换  
   在需要高频信号切换的应用中,如音频放大器或通信设备,FDFMA2P853 的高开关速度和低电容特性使其成为理想选择。

6. 汽车电子  
   虽然具体参数需确认是否满足车规要求,但类似的 MOSFET 常用于汽车电子中的灯光控制、风扇控制和传感器接口等场景。

总之,FDFMA2P853 凭借其优异的电气特性和可靠性,非常适合用于需要高效功率转换和控制的各种电子系统中。在实际应用时,应根据具体需求评估其额定电压、电流和散热条件,以确保最佳性能和安全性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA2P853PowerTrench®

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产品型号

FDFMA2P853

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

120 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

120 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

435pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 3A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDFMA2P853DKR
FDFMA2P853DKR-ND
FDFMA2P853FSDKR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

700mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

40 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

系列

FDFMA2P853

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

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