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产品简介:
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STMicroelectronics的STL34N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(650V)及良好的热稳定性等特性,适用于多种电力电子变换装置。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器中作为主开关器件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在工业自动化设备或电动车控制系统中作为功率输出元件,控制电机的运行状态。 3. 照明系统:如LED驱动器中用于调节电流以保证光源稳定发光。 4. 新能源领域:例如太阳能逆变器中用于直流到交流的能量转换过程。 5. 家电产品:诸如电磁炉、变频空调等家用电器内部的功率控制电路部分。 综上所述,STL34N65M5凭借其优良性能被大量采用于各类要求严苛的电气环境中,是构建现代高效节能电子产品不可或缺的重要组件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STL34N65M5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 12A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22.5A (Tc) |