ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD25402Q3A
Datasheet下载- 型号： CSD25402Q3A
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25402Q3A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25402Q3A价格参考￥2.36-￥6.28。Texas InstrumentsCSD25402Q3A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 76A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）。您可以下载CSD25402Q3A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25402Q3A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25402Q3A是德州仪器（Texas Instruments）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于超薄小尺寸封装的单MOSFET器件，广泛应用于对空间和效率要求较高的便携式电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电产品中的电源管理开关，有助于延长电池续航时间。 2. 负载开关电路：CSD25402Q3A常作为负载开关控制模块的核心元件，用于开启或关闭系统中的特定电源域，实现高效能电源分配与节能管理。 3. DC-DC转换器：在同步整流型降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，该器件可用于低电流侧的开关元件，提升转换效率并减少发热。 4. 热插拔与电源排序应用：在需要控制上电时序或多电源轨管理的系统中，该MOSFET可作为电源路径控制开关，防止浪涌电流。 5. 工业与消费类电子产品：如小型传感器模块、USB电源控制、电机驱动电路等，得益于其小型化封装（如SON 1.0mm×1.5mm），适合高密度PCB布局。 总之，CSD25402Q3A凭借其小型封装、低导通损耗和高可靠性，特别适用于空间受限且注重能效的低电压、中低电流电源开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 72A 8SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD25402Q3A |
| rohs | 不受无铅要求限制 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1790pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （3x3） |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25402Q3A |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 72A （Tc） |
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