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Datasheet下载- 型号： CSD16325Q5
- 制造商： Texas Instruments
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CSD16325Q5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16325Q5由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16325Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16325Q5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD16325Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16325Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments 的 CSD16325Q5 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于高效功率转换应用。该器件采用 5mm x 6mm 的小型封装，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。 典型应用场景包括： 1. 同步整流器：用于 DC-DC 转换器或电源适配器中，提高转换效率，降低发热。 2. 负载开关：在服务器、通信设备或工业控制系统中，作为高效开关控制电源分配。 3. 马达驱动：用于小型电机控制电路，如无人机、机器人或电动工具中的功率级。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，实现高效能量管理。 5. 热插拔电路：在服务器或网络设备中，用于控制带电插拔时的电流冲击。 6. 同步整流反激/正激变换器：用于电源供应器或适配器中，提高整体能效。 由于其封装小巧、导通损耗低，CSD16325Q5 特别适合空间受限但要求高性能的电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SONMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16325Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16325Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 30A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24964-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16325Q5 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 159 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | CSD16325Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
