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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120ZPBF价格参考。International RectifierIRFR120ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR120ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR120ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR120ZPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效功率开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 IRFR120ZPBF常用于开关电源(SMPS)中,作为主功率开关或同步整流器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、不间断电源(UPS)等设备。 2. 电机驱动 在电机控制应用中,IRFR120ZPBF可以用于驱动直流电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机在不同负载条件下稳定运行。常见的应用包括电动工具、家用电器(如洗衣机、空调)中的电机控制。 3. 电池管理系统(BMS) 该MOSFET可用于电池管理系统的充放电控制电路中,作为开关元件。通过精确控制充电和放电路径,确保电池的安全性和寿命。适用于电动汽车、储能系统、便携式电子设备等领域的电池保护电路。 4. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,IRFR120ZPBF可以用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性使得它能够在高频工作条件下保持高效,适用于太阳能发电系统、风力发电系统等可再生能源领域。 5. 汽车电子 该MOSFET广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统(EPS)、制动系统等。其高可靠性和抗干扰能力使其适合严苛的汽车环境。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,IRFR120ZPBF可用于各种传感器、执行器和控制器的接口电路中,作为信号隔离或功率放大元件。例如,PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等设备中,它能够提供可靠的开关功能。 总之,IRFR120ZPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用,尤其在需要高效功率转换和控制的场合表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR120ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR120ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 5.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR120ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 190 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 8.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.7A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru120z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru120z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |