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SUP75P05-08-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP75P05-08-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP75P05-08-E3价格参考。VishaySUP75P05-08-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 55V 75A(Tc) 3.7W(Ta),250W(Tc) TO-220AB。您可以下载SUP75P05-08-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP75P05-08-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP75P05-08-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器和电源适配器中的 DC-DC 转换器,用于高效调节电压。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为高边或低边开关,实现对负载的快速通断控制,减少待机功耗。 3. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的驱动电路中,提供高效、快速的开关性能。 4. 热插拔电路:在服务器和通信设备中,用于控制热插拔电源模块的接入与断开,防止电流冲击。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明控制和电动工具等场景,具备较强的稳定性和耐压能力。 该器件具有低导通电阻、高耐压(50V)、封装小巧(如PowerPAK SO-8)等特点,适合高密度、高效率的电源设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3MOSFET 55V 75A 250W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP75P05-08-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUP75P05-08-E3SUP75P05-08-E3 |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 140 ns |
下降时间 | 175 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | SUP75P05-08-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 115 ns |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |