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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA08N100D2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA08N100D2价格参考。IXYSIXTA08N100D2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA08N100D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA08N100D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA08N100D2是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,属于功率MOSFET类别。该器件具有高耐压(1000V)、低导通电阻和高电流承载能力,适用于高要求的电力电子应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源模块等,用于高效能、高频率的电能转换。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、伺服驱动器和电机控制电路中,提供快速开关和高可靠性。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中作为关键开关元件,实现直流电向交流电的高效转换。 4. 照明系统:应用于高强度放电灯(HID)、LED照明驱动等高亮度照明设备中。 5. 工业控制与自动化:用于PLC、变频器、工业电源等设备中,作为功率开关元件。 6. 新能源领域:如电动汽车充电设备、太阳能逆变器等,适用于高电压、高效率要求的绿色能源系统。 该MOSFET具备坚固的封装设计和优良的热性能,适合在高温和高功率环境下稳定运行,广泛应用于工业、通信、能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTA08N100D2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.6nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 欧姆 @ 400mA,0V |
供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 800mA (Tc) |