Datasheet下载- 型号： IRF9Z24NSTRR
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NSTRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NSTRR价格参考。International RectifierIRF9Z24NSTRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24NSTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NSTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号为IRF9Z24NSTRR的晶体管，属于P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于中低功率的开关应用。该器件具有良好的导通电阻和快速开关特性，适合在电源管理和负载开关等场景中使用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关电路，适用于电池供电设备中的高效能电源管理系统，如笔记本电脑、移动电源等。 2. 电机控制：在小型电机驱动或H桥电路中作为功率开关，用于控制电机的启停与方向切换。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件或风扇等，具有响应快、功耗低的优点。 4. 逆变器与UPS系统：在小型逆变器或不间断电源（UPS）中作为开关元件，实现电能的高效转换。 5. 工业控制设备：广泛应用于工业自动化设备、PLC模块及传感器电源控制中。 该MOSFET采用表面贴装封装（如TSOP），适合自动化生产，且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种消费类与工业类电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9Z24NSTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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