Datasheet下载- 型号： SI4403BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4403BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4403BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4403BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4403BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4403BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4403BDY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于电源管理、负载开关、电池供电设备、DC-DC 转换器、电机控制及汽车电子等领域。其封装形式（如 SO-8）适合高密度 PCB 设计，广泛用于便携式电子产品、工业控制系统和汽车应用中，如车载充电系统、车身控制模块等。该 MOSFET 支持快速开关，有助于提高系统效率并减少能量损耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4403BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 350µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 9.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4403BDY-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Ta） |
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