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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBF20G由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBF20G价格参考。VishayIRFIBF20G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIBF20G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIBF20G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFIBF20G 是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于高效率、高频率的电力电子系统中。其主要应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,适用于通信设备、工业电源和服务器电源模块;电机驱动电路,用于控制直流电机或步进电机,在工业自动化和电动工具中表现优异;逆变器系统,如太阳能逆变器和UPS不间断电源,得益于其低导通电阻和快速开关特性,有助于提升系统能效;此外,也常用于照明镇流器、高频功率放大器以及汽车电子中的辅助电源管理。IRFIBF20G具备较高的耐压能力(通常为500V以上)和良好的热稳定性,适合在高温和高负载环境下稳定运行。其封装形式有利于散热设计,增强了在紧凑型高功率密度设备中的适用性。总体而言,该器件适用于需要高效、可靠功率开关的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | 分立半导体产品 | 
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP | 
| 产品分类 | FET - 单 | 
| FET功能 | 标准 | 
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| 品牌 | Vishay Siliconix | 
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91185 | 
| 产品图片 | 
 | 
| 产品型号 | IRFIBF20G | 
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | - | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 720mA,10V | 
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | 
| 其它名称 | *IRFIBF20G | 
| 功率-最大值 | 30W | 
| 包装 | 管件 | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 | 
| 标准包装 | 1,000 | 
| 漏源极电压(Vdss) | 900V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Tc) | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            