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  • 型号: FDC633N_F095
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC633N_F095由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC633N_F095价格参考。Fairchild SemiconductorFDC633N_F095封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDC633N_F095参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC633N_F095 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC633N_F095 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,实现高效能电能转换与分配。  
2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件,提供快速响应与低导通电阻。  
3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携式电子产品中的电源控制模块。  
4. 工业自动化:用于PLC输入输出模块、传感器开关及继电器替代方案,提升系统可靠性与寿命。  
5. LED照明:作为恒流源开关,用于调光控制及多路LED驱动电路。  

该器件具备低导通电阻、高频率响应和良好热稳定性,适合高频开关场合,同时采用紧凑封装,有助于节省PCB空间。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDC633N_F095

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

538pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 5.2A,4.5V

供应商器件封装

6-SSOT

功率-最大值

800mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.2A (Ta)

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