Datasheet下载- 型号： FQU4P25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU4P25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU4P25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU4P25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU4P25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU4P25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的FQU4P25TU是一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，广泛用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，适用于需要高效能和低功耗的场合。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启停与方向。 3. 工业自动化：用于工业控制系统中的继电器驱动、传感器电源控制等。 4. 消费电子：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制、车载充电器等场景，满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 FQU4P25TU采用表面贴装封装，便于PCB布局和自动化生产，适合中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU4P25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 欧姆 @ 1.55A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Tc） |
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