Datasheet下载- 型号： TPN1110ENH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN1110ENH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN1110ENH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN1110ENH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN1110ENH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN1110ENH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN1110ENH,L1Q 的场效应晶体管（MOSFET），由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于单N沟道增强型MOSFET。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块，用于提高能量转换效率。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载开关，如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备。 3. 电机驱动：在小型电机或风扇控制电路中，作为高速开关使用。 4. 照明控制：用于LED照明系统的开关控制，支持调光功能。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块等工业控制设备中实现信号切换或功率控制。 其封装形式（如L1Q）通常为小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，适用于对空间和功耗有要求的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 200V 8TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN1110ENH |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPN1110ENH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 114 毫欧 @ 3.6A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN1110ENHL1QDKR |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
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