Datasheet下载- 型号： IRLR014NTR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR014NTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR014NTR价格参考。International RectifierIRLR014NTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR014NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR014NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号 IRLR014NTR 是一款 N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于需要高效、快速开关特性的电子电路中。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人或电动工具中的功率控制模块。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中作为开关元件，实现充放电控制和过流保护。 4. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动、电动窗控制等场景，得益于其高可靠性和耐用性。 5. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代、传感器供电控制等。 该MOSFET具备低导通电阻、高频率响应和良好的热稳定性，适合中低功率、高效率要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR014NTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 265pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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