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产品简介:
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FCB11N60FTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率电源转换系统。该器件耐压600V,额定电流11A,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等电源模块,用于提高能量转换效率并减小体积; 2. 电机驱动电路:可用于工业自动化设备或电动工具中的电机控制,提供快速响应与稳定输出; 3. 照明系统:如LED驱动电源中,实现恒流输出与高效能管理; 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变器中作为关键开关元件; 5. 家电控制:如电磁炉、洗衣机等家用电器中进行功率调节与负载控制。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热安装,适用于多种中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FCB11N60FTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FCB11N60FTMDKR |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |