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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84TA价格参考。Diodes Inc.BSS84TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS84TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84TA 是由 Diodes Incorporated 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关控制,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备中的电源切换。 2. 电机驱动电路:在小型直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件使用。 3. LED 驱动:用于 LED 照明系统的开关控制,特别是在需要调光或分组控制的应用中。 4. 工业自动化与控制:在 PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业控制系统中,用于实现高侧或低侧开关功能。 5. 通信设备:应用于通信模块中的电源切换、信号路径选择等场景。 6. 汽车电子:适合车载系统中的辅助电源控制,如车灯控制、风扇控制等非主控类应用。 该器件具有低导通电阻、封装小巧、响应速度快等特点,适合高频开关及空间受限的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 50V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 130 mA |
Id-连续漏极电流 | - 130 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS84TA- |
数据手册 | |
产品型号 | BSS84TA |
Pd-PowerDissipation | 360 mW |
Pd-功率耗散 | 360 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | BSS84ZX-ND |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 6 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 50 V |
漏极连续电流 | - 130 mA |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130mA (Ta) |
系列 | BSS84 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |