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产品简介:
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Vishay Siliconix品牌的IRF620STRR是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该器件适用于各种开关电源设计,如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(典型值为0.18Ω)能够减少功耗并提高效率。 2. 电机驱动:可用于小型直流电机的驱动电路中,提供高效的开关性能和良好的电流承载能力(连续漏极电流可达34A),适合家电、玩具和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载切换:在便携式电子设备中,用于电池管理和负载切换,确保快速响应和低损耗操作,延长电池寿命。 4. 逆变器:应用于小型光伏逆变器或其他类型的逆变器中,实现高效的能量转换。 5. LED驱动:用于大功率LED照明系统的驱动电路,提供稳定的电流输出以保证LED亮度的一致性和寿命。 6. 保护电路:作为过流保护或短路保护元件使用,在异常情况下迅速切断电流路径,保护系统其他部分免受损害。 由于其TO-220封装形式便于散热处理,并且具备较高的雪崩耐量能力,IRF620STRR非常适合需要高可靠性和高效能表现的应用场合。同时,它的工作电压范围较宽(最大漏源电压为100V),能够适应多种不同的工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91028 |
产品图片 | |
产品型号 | IRF620STRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 3.1A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Tc) |