Datasheet下载- 型号： RSD131P10TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD131P10TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD131P10TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD131P10TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD131P10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD131P10TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSD131P10TL是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），主要用于低电压、低功耗的开关应用。该器件采用小型封装（如SMT3），适合高密度贴装，广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等中的电源管理开关，用于控制电池供电路径或负载开关；在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件；还可用于LED驱动电路中的开关控制，以及各类小型电机或传感器模块的电源控制。 RSD131P10TL具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和良好的热稳定性，使其在低电压工作条件下仍能保持高效性能，有助于降低功耗并提升系统能效。其P沟道特性简化了栅极驱动设计，在许多电源开关应用中无需额外的驱动电路。 由于其高可靠性与紧凑尺寸，该MOSFET也适用于工业控制模块、通信设备和物联网（IoT）终端设备中的信号切换与电源管理功能。总体而言，RSD131P10TL是一款适用于多种低功耗、小型化电子系统的高性能P沟道MOSFET解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RSD131P10TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 6.5A， 10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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