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产品简介:
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FDH50N50 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效的电能转换和调节。 2. 电机驱动:适用于各种中小型电机控制电路,提供快速开关性能和低导通电阻。 3. 照明系统:如LED驱动电源中,用于实现恒流或恒压供电控制。 4. 工业自动化设备:作为功率开关元件,用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制系统。 5. 消费电子产品:如电视、音响等大功率电器的电源管理模块中。 6. 新能源领域:在太阳能逆变器、储能系统中作为关键开关元件使用。 该器件具备较高的耐压能力(500V)和较大的额定电流(50A),适合中高功率应用。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低损耗,提高效率,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适用于多种恶劣工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDH50N50 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UniFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 137nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 24A,10V |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 625W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 48A (Tc) |