Datasheet下载- 型号： TPN1600ANH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN1600ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN1600ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN1600ANH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN1600ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN1600ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN1600ANH, L1Q 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 MOSFET - 单 类别，是一款 N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电子设备中的电源管理和开关控制。 应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、电源稳压器等，用于高效能电源转换与调节，适合用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。 2. 负载开关与电源控制：该MOSFET可作为高效电子开关，用于控制电池供电设备中的负载切换，如移动设备、便携式充电器等。 3. 电机驱动与继电器替代：由于其快速开关特性和较低导通电阻，适用于小型电机控制、继电器替代电路和工业自动化设备中。 4. 汽车电子系统：可用于车载电源系统、LED照明控制、车载充电器等对可靠性要求较高的汽车电子应用。 5. 消费类电子产品：如智能家电、数码相机、打印机等设备中，用于实现高效、紧凑的电源管理方案。 该器件采用 SSM6J513AL 封装（DFN1006BD-8），具备小型化和高散热性能，适合高密度电路设计。其主要优势在于低导通电阻、高效率及良好的热稳定性，适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1230 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADVMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN1600ANH,L1Q- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN1600ANH |
| 产品型号 | TPN1600ANH,L1QTPN1600ANH,L1Q |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN1600ANHL1QDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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