Datasheet下载- 型号： SI1305DL-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1305DL-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1305DL-T1-E3价格参考。VishaySI1305DL-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1305DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1305DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1305DL-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、小封装和高可靠性等特点，适用于多种电源管理和负载开关场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器等电路中，提高能效并减小电路体积。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为开关元件，控制电源通断以节省能耗。 3. 电机驱动与继电器替代：在小型电机或继电器驱动电路中，提供快速开关和更低功耗。 4. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源控制和节能设计。 5. 工业控制系统：用于自动化设备中的信号切换和功率控制。 该MOSFET采用SOT-23封装，适合空间受限的设计，且具备良好的热稳定性和耐用性，是众多低压功率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1305DL-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1305DL-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 290mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA （Ta） |
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