Datasheet下载- 型号： FQU10N20LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU10N20LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU10N20LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU10N20LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU10N20LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU10N20LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU10N20LTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，主要适用于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） FQU10N20LTU 的高电压耐受能力（VDS = 200V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如降压或升压转换器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和转速。其低导通电阻（RDS(on) 典型值为 0.65 Ω）有助于减少功率损耗。 3. 负载切换 在需要高效负载切换的应用中，如汽车电子设备或工业控制系统中，FQU10N20LTU 可以快速、可靠地切换负载。 4. 逆变器 该器件适用于小型逆变器电路，将直流电转换为交流电，例如用于便携式电子设备或太阳能微逆变器。 5. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路中，FQU10N20LTU 可用作开关元件，通过检测电流并快速切断电路来保护系统。 6. 音频放大器 在某些低功率音频放大器中，该 MOSFET 可用作输出级开关元件，提供高效的信号放大。 7. 电池管理系统（BMS） FQU10N20LTU 可用于电池管理系统的充放电控制电路中，确保电池在安全范围内工作。 8. 照明控制 在 LED 照明或荧光灯电子镇流器中，该器件可以用作开关元件，调节灯具的亮度或实现调光功能。 总结来说，FQU10N20LTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子应用，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU10N20LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Tc） |
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