Datasheet下载- 型号： IRF9Z24SPBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24SPBF价格参考。VishayIRF9Z24SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRF9Z24SPBF 是一款P沟道MOSFET，属于单功率MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括电源管理、负载开关、逆变器和DC-DC转换电路等。由于具备较高的耐压和电流能力，该MOSFET常用于电池供电系统中的电源控制，如便携式设备（笔记本电脑、移动电源）的反向极性保护和电源通断控制。此外，IRF9Z24SPBF也适用于电机驱动电路中的低边或高边开关，以及工业控制、消费类电子产品中的开关电源模块。其封装形式有利于散热，适合在紧凑空间内实现高效能设计。同时，该器件符合RoHS标准，带有“PbF”后缀表示无铅环保，适用于对环保要求较高的产品。总体而言，IRF9Z24SPBF凭借可靠的性能和稳定的参数，在中小功率开关应用中具有较高的实用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAKMOSFET P-Chan 60V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z24SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z24SPBFIRF9Z24SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF9Z24SPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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