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  • 型号: FDD86110
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD86110产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86110由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86110价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86110封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 12.5A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),127W(Tc) D-PAK(TO-252)。您可以下载FDD86110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD86110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD86110 是 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。它具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换和控制场景。以下是 FDD86110 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):FDD86110 可用作同步整流器或开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。
   - 开关电源(SMPS):在开关模式电源中作为主开关管,用于将输入电压转换为稳定的输出电压。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:FDD86110 的低 Rds(on) 和快速开关特性使其适合用于 BLDC 电机的逆变桥电路。
   - 小型电机控制:可用于风扇、泵等小型电机的启停和速度控制。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,用于动态开启或关闭某些功能模块以节省电能。
   - 电子保险丝:保护电路免受过流或短路的影响。

 4. 电池管理系统(BMS)
   - 电池充放电控制:用于锂电池或其他可充电电池的充放电路径控制,确保安全和高效。
   - 电量平衡:在多节电池组中,通过开关作用实现电池单元间的电量平衡。

 5. 汽车电子
   - 车载电子系统:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等需要低功耗和高性能的电机控制场景。
   - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯具的恒流驱动,提供稳定亮度。

 6. 消费类电子产品
   - 音频放大器:在 D 类音频放大器中作为输出级开关器件。
   - USB 充电器:用于 USB 接口的电流限制和保护。

 7. 工业应用
   - 伺服控制系统:在工业自动化领域,用于精确控制伺服电机的运行。
   - 继电器替代:利用其快速响应和低损耗特性,替代传统机械继电器。

FDD86110 的低导通电阻(典型值为 4.5 mΩ @ Vgs = 10V)和小封装(SO-8),使其非常适合对效率和空间要求较高的应用场合。同时,其出色的热性能也确保了在高功率密度环境下的可靠运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.5 A

Id-连续漏极电流

12.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86110PowerTrench®

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产品型号

FDD86110

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5.4 ns

下降时间

3.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2265pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.2 毫欧 @ 12.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FDD86110CT

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

38 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Ta), 50A (Tc)

系列

FDD86110

通道模式

Enhancement

配置

Single

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