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FDD86110产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86110由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86110价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86110封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 12.5A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),127W(Tc) D-PAK(TO-252)。您可以下载FDD86110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD86110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD86110 是 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。它具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换和控制场景。以下是 FDD86110 的主要应用场景: 1. 电源管理 - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):FDD86110 可用作同步整流器或开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。 - 开关电源(SMPS):在开关模式电源中作为主开关管,用于将输入电压转换为稳定的输出电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机(BLDC)驱动:FDD86110 的低 Rds(on) 和快速开关特性使其适合用于 BLDC 电机的逆变桥电路。 - 小型电机控制:可用于风扇、泵等小型电机的启停和速度控制。 3. 负载切换 - 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,用于动态开启或关闭某些功能模块以节省电能。 - 电子保险丝:保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理系统(BMS) - 电池充放电控制:用于锂电池或其他可充电电池的充放电路径控制,确保安全和高效。 - 电量平衡:在多节电池组中,通过开关作用实现电池单元间的电量平衡。 5. 汽车电子 - 车载电子系统:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等需要低功耗和高性能的电机控制场景。 - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯具的恒流驱动,提供稳定亮度。 6. 消费类电子产品 - 音频放大器:在 D 类音频放大器中作为输出级开关器件。 - USB 充电器:用于 USB 接口的电流限制和保护。 7. 工业应用 - 伺服控制系统:在工业自动化领域,用于精确控制伺服电机的运行。 - 继电器替代:利用其快速响应和低损耗特性,替代传统机械继电器。 FDD86110 的低导通电阻(典型值为 4.5 mΩ @ Vgs = 10V)和小封装(SO-8),使其非常适合对效率和空间要求较高的应用场合。同时,其出色的热性能也确保了在高功率密度环境下的可靠运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86110PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD86110 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-GateCharge | 25 nC |
Qg-栅极电荷 | 25 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 5.4 ns |
下降时间 | 3.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2265pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.2 毫欧 @ 12.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FDD86110CT |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 38 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.5A (Ta), 50A (Tc) |
系列 | FDD86110 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |