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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT60N10由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT60N10价格参考。IXYSIXTT60N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT60N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT60N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT60N10是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管封装类型。该器件具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点,适用于多种高功率开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,作为高效开关元件使用; 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,实现快速开关控制; 3. 逆变器系统:在UPS不间断电源、太阳能逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电; 4. 电池管理系统:在高功率电池充放电控制电路中,用于高效率能量传输; 5. 工业自动化设备:用于工业控制系统的高频率开关电路中,如PLC、伺服驱动器等; 6. 汽车电子:如车载充电器、电动工具、电动车控制器等需要高可靠性和高效率功率开关的场合。 该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性,适合在高温和高负载环境下工作,广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTT60N10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | TO-268 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |