Datasheet下载- 型号： NP22N055SLE-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP22N055SLE-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP22N055SLE-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP22N055SLE-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP22N055SLE-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP22N055SLE-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号为NP22N055SLE-E1-AY的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等，用于高效能电能转换与调节。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，作为电机驱动电路中的开关元件。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 汽车电子：在车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）及车载充电系统中，实现功率控制与管理。 5. 工业控制系统：广泛应用于工业自动化设备中的继电器替代、开关电源及逆变器设计中。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP22N055SLE-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252（MP-3ZK） |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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