Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DTR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTR价格参考。International RectifierIRFR13N20DTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR13N20DTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFR13N20DTR 属于功率 MOSFET 晶体管，具体分类为 FET，MOSFET - 单。该器件具有200V的漏源电压（Vds）和较高的电流承载能力，适用于中高功率应用场景。 该MOSFET主要应用于以下场景： 1. 电源转换设备：如AC-DC和DC-DC转换器、开关电源（SMPS），用于高效能功率开关，提高能量转换效率。 2. 电机驱动：适用于工业自动化和家电中的电机控制电路，提供快速开关响应和低导通损耗。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为核心功率开关元件，实现直流到交流的电能转换。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电机控制和DC-DC变换器，满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 5. 负载开关与电源管理：用于智能负载管理、电池供电系统中的功率控制。 该器件采用TO-252封装，具备良好的散热性能和高可靠性，适合高频率开关操作。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR13N20DTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
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