Datasheet下载- 型号： DMN10H170SFG-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H170SFG-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H170SFG-13价格参考。Diodes Inc.DMN10H170SFG-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN10H170SFG-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN10H170SFG-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN10H170SFG-13是一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和负载开关应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性与小型化封装的特点，常见应用包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电池充电电路和电源开关，实现高效能量传输与低功耗设计。 2. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为高侧开关，控制电源对负载的供给，防止过流或短路损坏系统。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机、电磁阀等感性负载的开关控制，具备快速响应和低导通损耗优势。 4. 工业控制：在PLC、传感器模块和自动化设备中实现信号切换与功率控制。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明驱动及电池管理系统（BMS），满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 其封装小巧（如SOT26），适合空间受限的设计，同时支持高频率开关操作，适用于需要高效能与小型化的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN10H170SFG-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 122 毫欧 @ 3.3A， 10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMN10H170SFG-13CT |
| 功率-最大值 | 940mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta）， 8.5A （Tc） |
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