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  • 型号: DMN10H170SFG-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H170SFG-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H170SFG-13价格参考。Diodes Inc.DMN10H170SFG-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN10H170SFG-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN10H170SFG-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN10H170SFG-13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870.7pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

122 毫欧 @ 3.3A, 10V

供应商器件封装

PowerDI3333-8

其它名称

DMN10H170SFG-13CT
DMN10H170SFG-13CT-ND
DMN10H170SFG-13DICT

功率-最大值

940mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVQFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

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