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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI076N12N3GAKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI076N12N3GAKSA1价格参考。InfineonIPI076N12N3GAKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI076N12N3GAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI076N12N3GAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IPI076N12N3GAKSA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET,属于高性能硅基 CoolMOS™ 系列产品,广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。该器件额定电压为 1200V,导通电阻低,具备优异的开关性能和热稳定性,适用于工业、能源及电力电子系统。 主要应用场景包括: 1. 太阳能逆变器:用于光伏电站中的 DC-AC 转换,提升转换效率并降低系统损耗; 2. 工业电机驱动:在变频器和伺服驱动器中实现高效电能控制,支持节能运行; 3. 不间断电源(UPS):在高频逆变电路中提供快速开关响应,确保电源输出稳定; 4. 电动汽车充电设备:适用于车载充电机(OBC)和充电桩电源模块,提高充电效率; 5. 开关电源(SMPS):用于高功率通信电源或服务器电源,满足高能效标准(如 80 PLUS); 6. 感应加热与焊接设备:在高频谐振电路中实现精确能量控制。 该器件采用表面贴装封装(如 PG-HSOF),便于自动化生产,并具备良好的散热性能,适合紧凑型设计。其高可靠性和耐用性也使其在高温、高负载环境下表现稳定,是现代高效电力转换系统的理想选择。