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Datasheet下载- 型号： IRFL024ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFL024ZPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL024ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL024ZPBF价格参考。International RectifierIRFL024ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223。您可以下载IRFL024ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL024ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFL024ZPBF的MOSFET，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的场合。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻和高效率，有助于提升整体能效并减少发热。 2. 电机控制：常用于直流电机、步进电机或BLDC电机的驱动电路中，支持快速开关与高电流承载能力，满足电机控制的动态响应需求。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为电子开关使用，用于控制电源通断，具有低损耗和高可靠性的优势。 4. 逆变器与UPS系统：适用于小型逆变器或不间断电源（UPS）系统中，实现电能形式的转换与稳定输出。 5. 工业自动化与电机驱动模块：在PLC、伺服驱动器及工业控制设备中作为功率开关元件，支持高频工作与稳定性能。 6. 汽车电子：可用于车载电源系统、灯控模块或电动工具等场景，符合AEC-Q101标准，具备良好的环境适应性。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用。其设计兼顾性能与可靠性，是多种功率电子系统中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL024ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL024ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 9.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57.5 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRFL024ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 57.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 9.1 nC |
| 标准包装 | 80 |
| 正向跨导-最小值 | 6.2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfl024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfl024z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
