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  • 型号: IRLR014NTRR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR014NTRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR014NTRR价格参考。International RectifierIRLR014NTRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR014NTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR014NTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLR014NTRR的器件属于N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET分类。该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源管理:由于其低导通电阻和高效能特性,IRLR014NTRR常用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理电路中,以提高电源转换效率。

2. 负载开关:该MOSFET适用于负载开关设计,用于控制电源对负载的供电,实现快速开关操作,减少功耗。

3. 电机驱动:在小型电机控制电路中,如无人机、电动工具或机器人系统中,该器件可用于驱动电机并实现调速功能。

4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理电路中,作为高效率开关元件,用于保护电池组免受过流或短路损害。

5. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域的优势,该器件也可能用于车载电源系统、LED照明驱动或车身控制模块中。

6. 工业控制:在工业自动化设备中,用于PLC模块、传感器供电控制、继电器替代等场合。

该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,适用于需要高效能与小体积兼顾的设计场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRLR014NTRR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

265pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

28W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

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