Datasheet下载- 型号： FQA8N80C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA8N80C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA8N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQA8N80C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA8N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA8N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA8N80C 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有8A连续漏极电流和800V漏源击穿电压，适用于中高功率的电源转换系统。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等，作为主开关元件，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动电路：在工业控制或电动工具中，作为功率开关控制电机启停与转速。 3. 照明系统：如LED路灯或高压气体放电灯（HID）镇流器中的功率控制部分。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，进行直流到交流的能量转换。 5. 家电控制：如电磁炉、电饭煲等大功率家用电器中的功率调节模块。 该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在较宽温度范围内工作，广泛用于工业、消费电子及新能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA8N80C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 欧姆 @ 4.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 220W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
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