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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW8NK80Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW8NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTW8NK80Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW8NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW8NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW8NK80Z是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换与控制的场景。该器件具有高耐压(800V)、大电流承载能力及低导通电阻的特点,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、照明系统(如LED驱动)以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,其优异的热稳定性和可靠性也使其适合在高温或恶劣环境下运行,例如变频器、逆变器和电能管理系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW8NK80ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW8NK80Z |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 3.1A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-12807-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67541?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A (Tc) |
| 系列 | STW8NK80Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |