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FQB6N40CTM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N40CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N40CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N40CTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 6A(Tc) 73W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB6N40CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB6N40CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N40CTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件常用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器,提供高效能与小型化设计。 2. DC-DC转换器:用于各类电子设备中的电压转换系统,如服务器、通信设备和工业控制系统,实现高效率的电压调节。 3. 马达控制与驱动电路:适用于电动工具、风扇、泵等电机驱动应用,具备良好的导通损耗和开关损耗特性。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,用于实现恒流或恒压输出控制,提高能效和稳定性。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)及太阳能逆变器中,作为功率开关元件,支持高频率开关操作,提升系统效率。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(400V)和较强电流承载能力,适合高效率、高密度电源设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAKMOSFET N-CH/400V/6A/CFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB6N40CTMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB6N40CTM |
Pd-PowerDissipation | 73 W |
Pd-功率耗散 | 73 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 830 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 830 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 65 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | FQB6N40CTMCT |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 73W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 4.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | FQB6N40 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQB6N40CTM_NL |