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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP9240PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP9240PBF价格参考¥6.32-¥6.38。VishayIRFP9240PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 200V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP9240PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP9240PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFP9240PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):IRFP9240PBF适用于开关模式电源中的功率开关,能够高效地控制电压和电流的切换,支持高频操作,从而提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,该MOSFET可以作为驱动器用于启动、停止和调节电机速度。它具有低导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗,适合直流电机或步进电机驱动。 3. DC-DC转换器:在降压或升压DC-DC转换电路中,IRFP9240PBF用作同步整流器或主开关,以实现高效的电压转换。 4. 负载开关:可用于各种电子设备中的负载开关功能,快速接通或断开负载电路,同时保持较低的功耗。 5. 电池管理:在电池管理系统中,这款MOSFET可以用作充电/放电路径的控制开关,保护电池免受过充、过放及短路等损害。 6. 逆变器:在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRFP9240PBF可用作功率级开关,将直流电转换为交流电。 7. LED驱动:在高亮度LED照明系统中,该器件可用于恒流源设计,确保LED稳定工作并延长使用寿命。 8. 继电器替代品:由于其快速切换特性和紧凑尺寸,IRFP9240PBF可以取代传统电磁继电器,在需要频繁开关的应用场合下提供更长寿命和更高可靠性。 总之,IRFP9240PBF凭借其优良的电气性能和耐用性,广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 12A TO-247ACMOSFET P-Chan 200V 12 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP9240PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP9240PBFIRFP9240PBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFP9240PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |