Datasheet下载- 型号： ZXMN10B08E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10B08E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10B08E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10B08E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10B08E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10B08E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10B08E6TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - ZXMN10B08E6TA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）和负载开关。 - 它可以作为功率开关，在电池供电设备中实现高效的能量转换和分配。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，支持电机的启停、调速和方向控制。 - 其快速开关特性和低功耗适合应用于消费电子设备中的风扇、泵或其他小型电机。 3. 负载开关 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，ZXMN10B08E6TA 可用作负载开关，实现对不同功能模块的动态供电管理。 - 它能够快速响应并减少开关过程中的能量损耗。 4. 信号切换 - 该器件可作为模拟信号或数字信号的开关，用于音频信号路由、传感器信号切换等场景。 - 其低漏电流特性确保在信号切换过程中不会引入过多的噪声或干扰。 5. 保护电路 - ZXMN10B08E6TA 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中，防止系统因异常情况而受损。 - 它的小封装尺寸（如 SOT-23 或更小）使其非常适合空间受限的设计。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、电动座椅调节等应用场景。 - 其高可靠性和耐高温性能满足汽车环境的要求。 7. 消费电子产品 - ZXMN10B08E6TA 广泛应用于各种消费电子产品中，如智能音箱、游戏控制器、智能家居设备等，提供高效的电源管理和信号切换功能。 综上所述，ZXMN10B08E6TA 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，适用于多种需要高效功率转换和信号控制的场景，特别是在便携式设备、工业控制和汽车电子领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10B08E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 下降时间 | 2.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 497pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMN10B08E6TR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 12.1 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
