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IRFU9120PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9120PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9120PBF价格参考。VishayIRFU9120PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU9120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU9120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU9120PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括: 1. 开关电源:该器件常用于开关模式电源(SMPS)中,作为高频开关元件。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度使其非常适合DC-DC转换器、降压/升压转换器等应用。 2. 电机驱动:在小型电机控制中,IRFU9120PBF可用于驱动直流无刷电机(BLDC)或步进电机。它能够承受较高的电流并保持较低的功耗,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备中的电机控制。 3. 电池管理:这款MOSFET适用于锂离子电池保护电路,用于过流、短路保护以及充电/放电控制。其低导通电阻有助于减少电池系统中的能量损耗。 4. 负载切换:在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,IRFU9120PBF可以用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理。 5. LED驱动:在LED照明应用中,该MOSFET可以用于恒流源设计,以确保LED亮度的一致性和稳定性。此外,它还可以用于PWM调光控制。 6. 信号放大与缓冲:由于其高输入阻抗特性,IRFU9120PBF也可用作信号放大或缓冲级,在音频处理或其他模拟信号传输领域发挥作用。 7. 汽车电子:尽管额定电压为30V,但该器件仍可在某些低电压汽车子系统中使用,例如车载信息娱乐系统、传感器接口和辅助电源模块。 总之,IRFU9120PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制及汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的地方表现优异。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement | 
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAKMOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp | 
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 | 
| FET功能 | 标准 | 
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 | 
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A | 
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A | 
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9120PBF- | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU9120PBFIRFU9120PBF | 
| Pd-PowerDissipation | 40 W | 
| Pd-功率耗散 | 40 W | 
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms | 
| RdsOn-漏源导通电阻 | 480 mOhms | 
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V | 
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V | 
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V | 
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V | 
| 上升时间 | 47 ns | 
| 下降时间 | 31 ns | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.4A,10V | 
| 产品目录绘图 | 
 | 
| 产品种类 | MOSFET | 
| 供应商器件封装 | TO-251AA | 
| 其它名称 | *IRFU9120PBF | 
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns | 
| 功率-最大值 | 2.5W | 
| 功率耗散 | 40 W | 
| 包装 | 管件 | 
| 商标 | Vishay / Siliconix | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 安装风格 | Through Hole | 
| 导通电阻 | 480 mOhms | 
| 封装 | Tube | 
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 
| 封装/箱体 | IPAK-3 | 
| 工厂包装数量 | 3000 | 
| 晶体管极性 | P-Channel | 
| 最大工作温度 | + 150 C | 
| 最小工作温度 | - 55 C | 
| 标准包装 | 75 | 
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V | 
| 漏极连续电流 | 6.6 A | 
| 漏源极电压(Vdss) | 100V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Tc) | 
| 通道模式 | Enhancement | 
| 配置 | Single | 
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                            